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Sources Plasmas

  • LITMAS® RPS 1501 et 3001 Advanced Energy Industries

    LITMAS® RPS 1501 et 3001


    Source plasma ICP avec générateur, boîte d'accord et chambre intégrés

    • Fréquence RF : 1.7...3 MHz
    • Alimentation : 208VAC 3P, 50/60Hz
    • Chambre : Quartz (SiO2) ou Céramique (Al2O3)
    • Puissance : 100W...1500W (1501) ou 3000W (3001), ajustable
    • Interface : Analogique / RS232
    • Refroidissement : Eau

    Applications :

    • Wafer pre-clean
    • Photoresist Strip
    • Dépôt / Gravure couches-minces (PEALD, PECVD, PEPVD, PERIE)
    • ...
  • COPRA 160/200 CCR Technology

    COPRA 160/200


    Source Plasma ICP Circulaire

    Diamètre max. substrat 3''

    • Puissance RF max. 600W (13.56 MHz)
    • Accord : manuel
    • Energie ionique : 10...200 eV
    • Densité de courant : 0.01...0.5 mA/cm2
    • Extraction : grounded WO grid

    Applications :

    • R&D
    • ALD assist (PEALD)
  • COPRA 250CF CCR Technology

    COPRA 250CF


    Source Plasma ICP Circulaire

    Diamètre max. substrat : 4''

    • Puissance RF max. 1800W (13.56 MHz)
    • Pression : 1e-4 à 1mBar
    • Accord : manuel / piloté
    • Energie ionique : 10...120 eV
    • Densité de courant : 0.01...2 mA/cm2
    • Extraction : grounded W-grid

    Applications :

    • R&D
    • PVD assist
  • COPRA 250 ISO-K CCR Technology

    COPRA 250 ISO-K


    Source Plasma ICP Circulaire

    Diamètre max. substrat : 4''

    • Puissance RF max. 3000W (13.56 MHz)
    • Pression : 1e-4 à 2e-2mBar
    • Accord : manuel / piloté
    • Energie ionique : 10...250 eV
    • Densité de courant : 0.01...4 mA/cm2
    • Extraction : grounded W-grid

    Applications :

    • E-gun assist
    • Wafer processing
  • COPRA 400/500 CCR Technology

    COPRA 400/500


    Source Plasma ICP Circulaire

    Diamètre max. substrat : 8'' (DN400) ou 12'' (DN500)

    • Puissance RF max. 5000W (13.56 MHz)
    • Pression : 1e-4 à 1e-2 mBar
    • Accord : manuel
    • Energie ionique : 10...250 eV
    • Densité de courant : 0.01...3 mA/cm2
    • Extraction : grounded W-grid

    Applications :

    • E-gun assist
    • Wafer processing
  • COPRA LS5 CCR Technology

    COPRA LS5

    Source Plasma ICP Linéaire

    Largeur max. substrat : 300mm (dynamique)

    • Puissance RF max. 5000W
    • Pression : 1e-4 à 1e-2 mBar
    • Accord : piloté
    • Energie ionique : 10...50 eV
    • Densité de courant : 0.01...3 mA/cm2

    Applications :

    • Roll to Roll PECVD
    • Roll to Roll cleaning
    • PVD assist
  • COPRA LS9 CCR Technology

    COPRA LS9


    Source Plasma ICP Linéaire

    Dimensions max. substrat : 330mmx330mm

    • Puissance RF max. 5000W (13.56 MHz)
    • Pression : 5e-4 à 1mBar
    • Accord : piloté
    • Energie ionique : 10...50 eV
    • Densité de courant : 0.01...1 mA/cm2

    Applications :

    • PECVD
  • COPRA RS6 CCR Technology

    COPRA RS6


    Source Plasma ICP Linéaire

    Largeur max. substrat : 1000mm (dynamique)

    • Puissance RF max. 10.000W (13.56 MHz)
    • Pression : 5e-4 à 1mBar
    • Accord : piloté
    • Energie ionique : 10...50 eV
    • Densité de courant : 0.01...3 mA/cm2

    Applications :

    • Roll to Roll PECVD
    • Roll to Roll cleaning
    • PVD assist
  • COPRA RS9-10-11 CCR Technology

    COPRA RS9-10-11


    Source Plasma ICP Linéaire

    Largeur max. du substrat : 1300mm (statique)

    • Puissance RF max. 10.000W (13.56 MHz)
    • Pression : 5e-4 à 1mBar
    • Accord : piloté
    • Energie ionique : 10...50 eV
    • Densité de courant : 0.01...1 mA/cm2

    Applications :

    • FPD coating
  • COPRA RS400 CCR Technology

    COPRA RS400


    Source Plasma ICP Circulaire

    Diamètre max. substrat : 220mm

    • Puissance RF max. 5000W (13.56 MHz)
    • Pression : 5e-4 à 1mBar
    • Accord : piloté
    • Energie ionique : 10...50 eV
    • Densité de courant : 0.01...3 mA/cm2

    Applications :

    • 8'' wafer processing
  • COPRA IS300 CCR Technology

    COPRA IS300


    Source Plasma « In Build »

    Hauteur de calotte jusqu'à 1200mm

    • Puissance RF max. 3000W (13.56 MHz)
    • Pression : 1e-4...5e-3 mBar
    • Accord : piloté
    • Energie ionique : 50...250 eV
    • Densité de courant : 0.01...2 mA/cm2
    • Extraction : grounded W-grid

    Applications :

    • E-gun assist