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COPRA RS400 CCR Technology


Source Plasma ICP Circulaire

Diamètre max. substrat : 220mm

  • Puissance RF max. 5000W (13.56 MHz)
  • Pression : 5e-4 à 1mBar
  • Accord : piloté
  • Energie ionique : 10...50 eV
  • Densité de courant : 0.01...3 mA/cm2

Applications :

  • 8'' wafer processing