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COPRA 400/500 CCR Technology


Source Plasma ICP Circulaire

Diamètre max. substrat : 8'' (DN400) ou 12'' (DN500)

  • Puissance RF max. 5000W (13.56 MHz)
  • Pression : 1e-4 à 1e-2 mBar
  • Accord : manuel
  • Energie ionique : 10...250 eV
  • Densité de courant : 0.01...3 mA/cm2
  • Extraction : grounded W-grid

Applications :

  • E-gun assist
  • Wafer processing