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COPRA 250 ISO-K CCR Technology


Source Plasma ICP Circulaire

Diamètre max. substrat : 4''

  • Puissance RF max. 3000W (13.56 MHz)
  • Pression : 1e-4 à 2e-2mBar
  • Accord : manuel / piloté
  • Energie ionique : 10...250 eV
  • Densité de courant : 0.01...4 mA/cm2
  • Extraction : grounded W-grid

Applications :

  • E-gun assist
  • Wafer processing