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CCR Technology

L'activité de CCR est basée sur la technologie de Plasma COPRA® : une excitation du plasma induit par haute fréquence (ICP) supérieure à l'excitation conventionnelle des plasmas grâce à une puissance efficace, une totale évolutivité et une grande fiabilité. Les applications et les industries ciblées incluent le dépôt PECVD de silicium, carbone, oxydes et nitrures pour couches passivantes, dépôt décoratif ou de protection.

Plasmas > Sources Plasmas

  • COPRA 160/200 CCR Technology

    COPRA 160/200


    Source Plasma ICP Circulaire

    Diamètre max. substrat 3''

    • Puissance RF max. 600W (13.56 MHz)
    • Accord : manuel
    • Energie ionique : 10...200 eV
    • Densité de courant : 0.01...0.5 mA/cm2
    • Extraction : grounded WO grid

    Applications :

    • R&D
    • ALD assist (PEALD)
  • COPRA 250CF CCR Technology

    COPRA 250CF


    Source Plasma ICP Circulaire

    Diamètre max. substrat : 4''

    • Puissance RF max. 1800W (13.56 MHz)
    • Pression : 1e-4 à 1mBar
    • Accord : manuel / piloté
    • Energie ionique : 10...120 eV
    • Densité de courant : 0.01...2 mA/cm2
    • Extraction : grounded W-grid

    Applications :

    • R&D
    • PVD assist
  • COPRA 250 ISO-K CCR Technology

    COPRA 250 ISO-K


    Source Plasma ICP Circulaire

    Diamètre max. substrat : 4''

    • Puissance RF max. 3000W (13.56 MHz)
    • Pression : 1e-4 à 2e-2mBar
    • Accord : manuel / piloté
    • Energie ionique : 10...250 eV
    • Densité de courant : 0.01...4 mA/cm2
    • Extraction : grounded W-grid

    Applications :

    • E-gun assist
    • Wafer processing
  • COPRA 400/500 CCR Technology

    COPRA 400/500


    Source Plasma ICP Circulaire

    Diamètre max. substrat : 8'' (DN400) ou 12'' (DN500)

    • Puissance RF max. 5000W (13.56 MHz)
    • Pression : 1e-4 à 1e-2 mBar
    • Accord : manuel
    • Energie ionique : 10...250 eV
    • Densité de courant : 0.01...3 mA/cm2
    • Extraction : grounded W-grid

    Applications :

    • E-gun assist
    • Wafer processing
  • COPRA LS5 CCR Technology

    COPRA LS5

    Source Plasma ICP Linéaire

    Largeur max. substrat : 300mm (dynamique)

    • Puissance RF max. 5000W
    • Pression : 1e-4 à 1e-2 mBar
    • Accord : piloté
    • Energie ionique : 10...50 eV
    • Densité de courant : 0.01...3 mA/cm2

    Applications :

    • Roll to Roll PECVD
    • Roll to Roll cleaning
    • PVD assist
  • COPRA LS9 CCR Technology

    COPRA LS9


    Source Plasma ICP Linéaire

    Dimensions max. substrat : 330mmx330mm

    • Puissance RF max. 5000W (13.56 MHz)
    • Pression : 5e-4 à 1mBar
    • Accord : piloté
    • Energie ionique : 10...50 eV
    • Densité de courant : 0.01...1 mA/cm2

    Applications :

    • PECVD
  • COPRA RS6 CCR Technology

    COPRA RS6


    Source Plasma ICP Linéaire

    Largeur max. substrat : 1000mm (dynamique)

    • Puissance RF max. 10.000W (13.56 MHz)
    • Pression : 5e-4 à 1mBar
    • Accord : piloté
    • Energie ionique : 10...50 eV
    • Densité de courant : 0.01...3 mA/cm2

    Applications :

    • Roll to Roll PECVD
    • Roll to Roll cleaning
    • PVD assist
  • COPRA RS9-10-11 CCR Technology

    COPRA RS9-10-11


    Source Plasma ICP Linéaire

    Largeur max. du substrat : 1300mm (statique)

    • Puissance RF max. 10.000W (13.56 MHz)
    • Pression : 5e-4 à 1mBar
    • Accord : piloté
    • Energie ionique : 10...50 eV
    • Densité de courant : 0.01...1 mA/cm2

    Applications :

    • FPD coating
  • COPRA RS400 CCR Technology

    COPRA RS400


    Source Plasma ICP Circulaire

    Diamètre max. substrat : 220mm

    • Puissance RF max. 5000W (13.56 MHz)
    • Pression : 5e-4 à 1mBar
    • Accord : piloté
    • Energie ionique : 10...50 eV
    • Densité de courant : 0.01...3 mA/cm2

    Applications :

    • 8'' wafer processing
  • COPRA IS300 CCR Technology

    COPRA IS300


    Source Plasma « In Build »

    Hauteur de calotte jusqu'à 1200mm

    • Puissance RF max. 3000W (13.56 MHz)
    • Pression : 1e-4...5e-3 mBar
    • Accord : piloté
    • Energie ionique : 50...250 eV
    • Densité de courant : 0.01...2 mA/cm2
    • Extraction : grounded W-grid

    Applications :

    • E-gun assist